MEMS, 储能，EV，芯片制造，半导体制造

IceMOS Technology成立于2004年，致力于具有成本效益高性能的超级MOSFET,MEMS解决方案和先进工程基材的一流供应商. IceMOS研发了创新的深沟槽 MEMS 高压SuperJunction MOSFET,其工艺更简单，成本更低，胜过同类解决方案。SuperJunction MOSFET 的应用包括： • 工業用電源、充電器 • LED TV驱动器 和电源供应 • 照明 HID和 LED镇流器 • 电动车和混合动力汽车 • 太阳能逆变器 • IT硬件：服务器，笔记本电脑和平板电脑 我们能全面应对诸如再生能源技术和云计算机之类的趋势。基于我们的晶圆键合技术，IceMOS是开发和制造高质量MEMS产品基材以及先进工程基材的全球领导者。我们的产品包括： • Thick Film Silicon on Insulator (SOI) • Silicon – Silicon Direct Bonded Wafers (SiSi) • Double / Multi layer SOI and SiSi • Trench isolation SOI • Cavity SOI • Through Silicon Via Interconnect • Custom Advanced Engineering Substrates 我们的核心专业知识是晶圆键合，深度反应离子蚀刻 (DRIE)和晶圆成型 利用在DRIE中的专业知识，在块状Si衬底或SOI上为客户提供沟槽蚀刻和填充服务。结合我们的SOI和沟槽蚀刻与再填充技术，我们为客户提供独特的介电隔离衬底准备服务。 SOI材料广泛用于以下应用中，例如电信产品和光学设备，介电隔离的集成电路，固态继电器以及用于MEMS传感器，致动器和瑞士豪华钟表业的硅表零件的微机械部件。 如无现成产品，IceMOS将直接与客户合作开发独特的专用产品。正是因为如此，IceMOS 的产品组合才是卓越的。 拥有十多年的专业知识，卓越的制造技能以及最新的技术发展，IceMOS确保从最初的询问到产品交付，每个客户都能获得出色的服务。 除了提供创新的产品开发，设计和专业服务，IceMOS的工程团队更提供一系列技术支持。 敬业的团队通过提供半导体行业的最新创新，为客户提供量身定制的解决方案和独特服务 IceMOS 荣获“ISO 9001, TS 16949汽车质量标准”，以对质量程序的持续投资而自豪。通过提供持续的员工培训，确保每个员工都保持最新状态，以了解高科技制造领域的最新技术进步。